Која је домаћа супституциона ситуација диода у области комуникације?

一, основна логика домаће замјене: двоструки погон технолошке итерације и тржишног притиска
1. Јаз у високим производњи - крајњи производни капацитет је подстакао потражњу за заменом
Као највећи светски произвођач комуникацијске опреме, Кина чини 40% глобалне потражње за диодама, али је моје - стопа довољности за високе - крајњи производи мањи од 35%. Узимање 5Г базних станица као пример, један уређај треба да буде опремљен преко 10000 високог фреквенција, ниских диода ниских губитака, који су се дуго ослањали на међународне дивове као што су Инфинеон и Ансон. Према подацима из 2025. године, јаз за производњу капацитета кинеских аутомобила достићи ће 3,8 милијарди јединица, углавном концентрисано у високим [{11}} крајњим категоријама попут Сиц Мосфета. Ова структурална неравнотежа сила низводно предузећа како би убрзала увођење домаћих добављача, формирајући тржишни образац "Замјена подлога захтјева".
2 Политика дивиденде о ослобађању технолошке трансформације
Национална политика интегрисане индустрије круга јасно захтијева стопу копија до 2025. године на 70% до 2025. године, а 15% вредност - додате смањење пореза на производе који задовољавају стандарде аутомобилске оцене. Узимање кинеске ресурсе микроелектронике као пример, његов ИДМ модел интегрише цео ланац дизајна, производње и тестирања паковања. Кроз ширење од 12 инчних вафер ФАБС-а повећао је капацитет локалне диоде на 200 милијарди јединица годишње, која чини 40% глобалне понуде. Ова политика, заједно са двоструким погоном капитала, значајно скраћује циклус верификације у земљи произведених уређаја.
3. Семикон треће генерације отварају прозор за замену
Пробој СИЦ-а и Ган материјала пружа прилику за домаћу замену да престигне и мења траке. До 2025. године, очекује се да ће тржишни удио у земљи произведен СИЦ диоде повећати на 25%, а њихова висока ефикасност и високе карактеристике густине на снази савршено испуњавају потражњу за 6Г Терахертз комуникацијом. На пример, трећи - генерација 650В / 1200В СИЦ СЦХОТКИ ДИОДЕ који је развио основни полуводич је повећао густину струје за 30% и пренапонивши способност за 50% кроз 6-инчну технологију Вафер-а и ушао је у системе ланца снабдевања Хуавеи и ЗТЕ.
2, алтернативни напредак у основним областима: од пробијања тачке до систематског покрића
1. Комуникациона базна станица: Домаће замјене убрзање високог- фреквенцијских компоненти
На пољу 5Г базне станице, домаћи високи - диоде су постигли кључни пробој. Зханкин Елецтроницс '650В / 1200В Сиц Диода је проследио индустријску цертификацију и заменио увезене компоненте у Схензхен Мегмеет модул за пуњење, повећајући ефикасност система за 0,2%. Још је приметно да силиконским карбидним МПС-ом Сцхоттки Диода Интегрисана од стране Санан-а усваја хибридни дизајн ПИН-а, који је широко коришћен у вучном погону, пуњењу возила и другим сценаријима и индекс поузданости испуњава стандарде АЕЦ - к101.
2 Оптичка комуникација: Домаћи раст модулационих диода
Оптичка комуникација је највећа поље наношења диода, са тржишном величином од 1,13 милијарде Јуана до 2024. године. Према подацима Пекинга Боиан Зхисханг, удео модулацијских диода који се користи за Ласер Радар достигао је 27,8% и одржава годишњу стопу раста од 15%. Сузхоу Гуде је интегрисао више од 50 серија и 7000 сорти производа и његова исправљачка продаја диоде била је међу врхом у Кини десет узастопних година. Успешно је унели тржиште података о повезивању података Центра (ДЦИ), директно се такмичи са Цисцоом и Хуавеијем.
3. Интернет возила: Еколошка реконструкција уређаја за унос возила
Интелигенција аутомобила је подстакла експлозивну потражњу за диоде високих поузданости. Исправљач моста Иангјие технологије прошао је производи Морски прошли су ИСО 26262 функционалне сертификације сигурности, постизање домаће замене у Бид и НИО-ови интелигентне кокпите. Његова заштитна диода ЕСД може стегнути електростатичким импулсима на испод 12В, испуњавање захтева за заштиту аутобуса - заштите аутобуса. Оно што је још важније, локални произвођачи су основали заједничке лабораторије са аутомобилским компанијама да граде сараднички систем верификације са компонентима у системе, значајно скраћујући развојни циклус производа за аутомобилски разред.
3, изазов и пробој: Од технолошке супституције до еколошке супституције
1. Технолошки итерацијски ризик: ометајуће утицај нових материјала
Нови полуводички материјали попут квантних тачака и перовског могу преврнути постојеће технолошке приступе. На пример, Шести генерација СИЦ диода коју покреће руи Ненг полуводич смањује пад напона провођења за 25% кроз танку филмску технологију, али овај технолошки скок захтева да компаније и развој и развој наставе у истраживању и развоју. У 2025. години надоградња извозних контрола на ГАН епитаксијалним ваферима од стране САД-а БиС даље наглашава хитност материјалне аутономије и контроле.
2 Еколошке баријере: Адаптациони изазови са уређаја за системе
Међународни дивови граде еколошке баријере путем "уређаја + алгоритми + алатнике". На пример, Инфинеон'с Аурик ™ микроконтролер је дубоко повезан са СИЦ диодама како би се постигао динамичан одговор на нивоу 0,1 μ С. Домаћи произвођачи морају пробити кроз овај ниво нивоа система. На пример, Хуада Јиутиан је стекао чипс и полуводичи, интегрисану средства за дизајн и 3Д амбалаже и формирала цео процес алатничког оквира који покрива круг круга на физичку верификацију, скраћујући циклус дизајна чипа за 40%.
3. Изглед глобализације: диверзификација геополитичких ризика
Трговинске фрицтионс присиљавају компаније да реструктурирају своје ланце снабдевања. ЦхангЈинг технологија је формирала потпуну ланац у индустрији из дизајна чипа на паковање и испитивање куповине Јиангсу Хиде Семицондуцтор и изградила је производне базе у југоисточној Азији како би постигла флексибилан модел снабдевања "кинеским истраживањима и развојним производима" кинески истраживачки и развој "кинеског истраживања и развоја" кинеског истраживања и развоја "кинеског истраживања и развоја" кинеског истраживања и развој "кинеског истраживања и развоја" "кинеског истраживања и развоја" кинеског истраживања и развоја ". Овај глобални изглед не само смањује утицај тарифних баријера, већ и повећава могућности усаглашености о животној средини као што су тражење отиска угљеника.
хттпс: //ввв.тррсемицон.цом/трансистор/нпн{5}}}силицон{ 3 @}трансистор-бк55.хтмл