Зашто комуникациони уређаји радије користе Сцхоттки Диоде?

1, Технички гени: Три основна предности металних полуводича
Основна конкурентност Сцхоттки Диода лежи у њиховој иновативној физичкој структури. За разлику од традиционалних диода ПН Јунцтион, формира шкотску баријеру кроз директан контакт између полуводичког метала и Н - типа. Ова структурна иновација доноси три главна технолошка пробијања:
Ултра ниски пад притиска напред
Пад напона напред Сцхоттки Диоде је обично између 0,2 В - 0.5В, што је само 1/2 до 2/3 оне силицијум диода. У модулу напајања од 5 г базне станице, одређена врста Сцхоттки Диоде има пад напона само 0,4 В на 3А струју, што је 42% нижи од традиционалних силицијумних диода од 0,7 В, а јединствени губитак топлоте смањује се. Ова предност енергетске ефикасности посебно је значајна у ниским напона и високим тренутним сценаријима. На пример, у систему комуникационог напајања 48В, употреба шкотских диода у исправљању може побољшати ефикасност за 3% -5%, уштеду милиона киловат сати електричне енергије годишње за средње преносне податке.
Брзина пребацивања наносекунда
Захваљујући карактеристику металне полуводичке спој без складишта за складиштење мањина, време обрнутог времена за опоравак Сцхоттки Диода тежи према нули. У 5Г миллиметер таласним обрадом сигнала, одређена врста Сцхоттки Диоде постиже 5НС време обрнутог времена опоравка, подржава прецизно откривање сигнала изнад 100ГХз и испуњава строге захтеве од 5Г НР (нови интерфејс за латенци. У традиционалним силиконским диодама време обрнутим опоравкама обично је у распону стотина наносекунди на микросекунде, што не може да испуни захтеве високог - фреквенцијског комуникације.
Високе фреквенције и ниске карактеристике губитака
Ниско спојево способно спајање Сцхоттки Диоде (обично мање од 1ПФ) чини да добро раде у РФ склоповима. У миксеру сателитских комуникацијских терминала, одређена врста Сцхоттки Диоде контрола губитак сигнала у року од 0,5 дБ, што побољшава интегритет сигнала за 30% у поређењу са традиционалним диодама. Ова карактеристика то чини пожељним елементима детекције за комуникационе системе КА Банд (26.5-40ГХЗ).
2, Индустријска примена: Покривеност пуне сцене са основних станица до терминала
Технолошке предности Сцхоттки Диодеса ​​омогућавају им да формирају четири сценарија за приступ основним апликацијама у комуникацијској опреми:
Обрада високе фреквенције сигнала
У РФ фронт - Крај базних станица од 5 г Сцхоттки Диодес предузимају кључне задатке као што су откривање сигнала, мешање и модулација. На пример, Хуавеи'с 5Г МИМО базна станица користи одређену врсту Сцхоттки Диоде Арраи да би се постигао Реал - Мониторинг од 256 сигнала, скраћујући време локације грешке базне станице од сати у минуту. У области оптичке комуникације, Сцхоттки Диодес се у комбинацији са технологијом Силицон Фотоницс постиже интеграцију фотодетектора у оптичким модулима од 400 г / 800 г, подржавајући јединствени талас 800Г пренос.
Ефикасно управљање напајањем
Систем електричне енергије комуникацијске опреме изузетно је осетљив на ефикасност. У 48В ДЦ напајању архитектуре података у датама, Сцхоттки Диоде се користе за средње претвараче са аутобусом (ИБЦС) како би повећали ефикасност конверзије на преко 98%. На пример, Сцхоттки Диоде модул који је развио одређени предузетни губитак топлоте од само 4В на 12В / 100А излазом, што је 60% нижи од традиционалних силицијумних решења и смањује величину модула напајања за 40%.
Интелигентни заштитни круг
Брзе карактеристике реакција Сцхоттки Диодес чине их идеалним избором за борбу против обрнутог веза, сузбијање пренапона и заштите ЕСД-а. У комуникационом интерфејсу браве паметних врата, одређена врста Сцхоттки Диоде може стегнути статички напон у наносекундима да заштити ниско - Блуетоотх (Бле) чипове од оштећења. У 5Г малим базним станицама, модул заштите од пренапона сачињен од Сцхоттки Диоде низове може да издржи мрље од 10кВ / 10Ка, обезбеђујући поузданост опреме у оштрим окружењима.
Интеграција фотона и осећање
Са зрелости технологије Силицијум фотоницс-а, Сцхоттки Диодес је почела да се дубоко интегришу са фотонским уређајима. У ЦПО (ЦО пакирани оптички) оптички модули, Сцхоттки Фотодетектори су интегрисани са ТИА чиповима кроз 3Д технологију за слагање за постизање нулте детекције одлагања од 56 ГБауд Пам4 сигнала. Поред тога, у системима праћења влаканих оптичких диода могу да надгледају оптичку енергију, таласну снагу и поларизацију, побољшавајући мрежну радну ефикасност и ефикасност одржавања за 80%.
3, будући тренд: Двоструки погон иновације материјала и интеграције система
Суочени са новим пољима као што су 6Г, квантна комуникација и Терахертз технологија, Сцхоттки Диодес постижу технолошке пробојне кроз две главне стазе:
Примена широког опсега полуводичких материјала
Силиконски карбид (СИЦ) и галијум нитрид (ГАН) Сцхоттки Дидес се постепено комерцијализује. На пример, СИЦ Сцхоттки Диода коју је развио одређени предузеће може одржати стабилан пад напона од 0,85 В на високој температури од 175 степени, са струјом отпуштања у износу од преко 10 ° Ц, што га чини погодним за екстремне окружења, као што је висок - брзински систем за вучу. У напајању 5 г базне станице, Ган Сцхоттки Диодес могу повећати фреквенцију пребацивања на ниво МХЗ-а, смањујући обим магнетних компоненти за 70%.
Интеграција оптоелектронске интеграције и интелигентне перцепције
Будући комуникацијски уређаји развијаће се ка интеграцији фотонике, електронике и рачунања. Сцхоттки Диоде ће се комбиновати са новим материјалима као што су квантне тачкице и графикон за постизање појединачних фотона детекција и прераде сигнала Терахертз. На пример, теоријска брзина одговора Сцхоттки детектора заснована на Графене-у може достићи 1тхз, што се очекује да ће пружити подршку основног уређаја за комуникацију са 6Г Терахертз. У међувремену, интегрисани модул оптичког мониторинга (ИСМ) комбинује Сцхоттки диоде са АИ алгоритамима за постизање аутономног предвиђања и поправке грешака оптичких мрежа.